Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Atsijungti
lietuvių
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Namai > žinios > „Intel“: „Intel 3“ „3nm“ proceso technologija dabar yra tūrio gamyba

„Intel“: „Intel 3“ „3nm“ proceso technologija dabar yra tūrio gamyba

„Intel“ paskelbė, kad jos „Intel 3“ (3NM klasės) proceso technologija dabar gamina apimtį dviem vaflių gamybos įrenginiais, taip pat pateikiama papildoma informacija apie naują gamybos mazgą.Naujasis procesas suteikia didesnį našumą ir didesnį tranzistoriaus tankį ir palaiko 1,2 V įtampą, kad būtų galima pritaikyti ypač aukštą efektyvumą.Šis mazgas skirtas ir „Intel“ produktams, taip pat liejyklų klientams, ateinančiais metais planuojant toliau tobulėti.

„Mūsų„ Intel 3 “dabar gamina apimtį mūsų patalpose Oregone ir Airijoje, įskaitant neseniai pasirodžiusį„ Xeon 6 “„ Sierra Forest “ir„ Granite Rapids “procesorius“, - teigė „Intel Foundry Technology Development“ viceprezidentas Walidas Hafezas.

„Intel“ nuosekliai nustatė duomenų centro programų „Intel 3“ gamybos procesą, kuriam reikalingas pažangiausias našumas, naudojant patobulintus tranzistorius (palyginti su „Intel 4“), sumažintą tranzistorių per atsparumą energijos tiekimo grandinėse ir projektuojant bendrą orientaciją.Gamybos mazgas palaiko <0.6V low voltage and >1,3 V aukšta įtampa, kad būtų maksimali apkrova.Kalbant apie našumą, „Intel“ žada, kad padidės 18% našumas tuo pačiu galios ir tranzistoriaus tankio lygiu.

Siekdami optimalaus našumo ir tankio derinio, mikroschemų dizaineriai turi naudoti 240 nm aukšto našumo ir 210 nm didelio tankio bibliotekų derinį.Be to, „Intel“ klientai gali pasirinkti iš trijų metalinių kaminų parinkčių: 14 sluoksnių versiją, skirtą sumažinti išlaidas, 18 sluoksnių versiją, skirtą geriausio našumo ir išlaidų balansui, ir 21 sluoksnio versiją, kad būtų aukštesnis našumas.

Šiuo metu „Intel“ naudoja savo 3NM klasės proceso technologiją, kad sukurtų „Xeon 6“ duomenų centro procesorius.Galų gale „Intel“ liejyklos naudos šį gamybos mazgą klientams gaminti duomenų centro lygio procesorius.

Be „Standard Intel 3“, įmonė taip pat pasiūlys „Intel 3T“, palaikančią per „Silicon VIA“ ir gali būti naudojama kaip bazinė lusta.Ateityje „Intel“ planuoja pateikti patobulintą funkcionalumą „Intel 3-E“ lustų ir saugyklų programoms, taip pat „Intel 3-PT“, skirtas tobulinti našumą įvairiuose darbo krūviuose, tokiuose kaip dirbtinis intelektas (AI)/aukšto našumo skaičiavimas (HPC)ir bendras kompiuterio našumas.