„Samsung“ pradeda 1NM proceso technologijos plėtrą, masinė gamyba buvo skirta po 2029 m.

Pranešama, kad „Samsung Electronics“ pradėjo kurti savo 1 nanometrą (NM, milijardą metro) puslaidininkių liejyklos.Susidūręs su dabartiniu našumo spraga su TSMC pažengusiuose mazguose, tokiuose kaip netrukus pasirodysiami 2NM procesas, „Samsung“ siekia pagreitinti savo paspaudimą į 1 nm klasę, tikėdamasis pasukti lenteles.

Remiantis pramonės šaltiniais balandžio 9 d., „Samsung“ puslaidininkių tyrimų institutas neseniai pradėjo plėtros projektą, kurio tikslas - 1 nm procesas.Atrinkti tyrėjai, dalyvavę pažangiausiuose procesuose, tokiuose kaip 2NM, buvo paskirstyti į naujos projekto komandos branduolį.Šiuo metu pažangiausias „Samsung“ viešojo liejyklos gairių procesas yra 1,4Nm mazgas, kuris numatomas masinei gamybai 2027 m.

Norint pasiekti 1NM gamybą, reikės visiškai naujos projektavimo paradigmos, taip pat naujos kartos priemonės, tokios kaip aukštos skaitmeninės diafragmos ekstremalios ultravioletinės (aukštos EUV) litografijos įranga.Ataskaitose teigiama, kad „Samsung“ siekia šios technologijos masinės gamybos laiko po 2029 m.

Šiuo metu „Samsung“ atsilieka nuo TSMC 3NM proceso technologijoje, kuri jau yra gaminama, ir tikimasi, kad 2NM mazge šiais metais pradės gaminti.Pažymėtina, kad TSMC, kaip pranešama, pasiekė daugiau nei 60% pajamingumo procentą, kurio metu 2NM procesas - taip, kaip ir „Samsung“, sudarydama Korėjos technologijų milžiną, kad būtų pradėtas 1NM proceso plėtra anksčiau nei iš pradžių planuota.

Tuo pat metu „Samsung“ konkurentai taip pat juda į priekį su 1 nm klasės technologijomis.Pavyzdžiui, TSMC 2023 m. Balandžio mėn. Paskelbė, kad ji pradės gaminti savo 1,6 nm (16A) procesą, nustatytą tarp 1,4 nm iki 2 nm mazgų-antroje 2026 m. Pusmetyje. Šis žingsnis vertinamas kaip atsakas į greitai kintančius AI puslaidininkių rinkos reikalavimus ir kaip žingsnis į būsimo kartos procesus.